日期：2026年05月25日
2026年5月25日，长光辰芯(HKEX: 3277) 发布GLR系列全新产品GLR1202BSI-L。该芯片面向高速点激光位移传感器应用而量身打造，采用长条形大像素、背照式及高速读出电路设计，具备高灵敏度、高行频特性，为工业高精度非接触位移检测领域提供优质的解决方案。
l 1000 μm像素高度，提升对准精度
在工业自动化、精密制造、新能源检测等场景中，工件对位校准、高速动态位移等对传感器的激光捕捉范围、对准精度、成像速度有着严苛要求。GLR1202BSI-L采用12.5 μm (H) x 1000 μm (V)的长条像素架构设计，分辨率为2000 (H) x 1 (V)，可实现大范围、线性化激光光斑精准捕捉，有效提升工件对位校准容错率与检测一致性，完美适配各类精密工件定位、对中校准场景。
l 两种模式，满足多场景应用需求
GLR1202BSI-L芯片支持高灵敏度和高信噪比两种模式，且两种模式可以进行自由切换。 在高灵敏度模式下，芯片读出噪声为215 e¯；在高信噪比模式下，芯片满阱为2 Me¯，最大信噪比为63 dB，动态范围达到69 dB；两种模式相互配合可以完美适配多种应用场景。同时，得益于先进的背照式工艺，芯片峰值量子效率为91% (440 nm)。
图1:GLR1202BSI-L两种工作模式
图2:GLR1202BSI-L量子效率曲线
l 350 kHz行频，数字输出更易集成
GLR1202BSI-L芯片集成12 bit ADC，通过5对Sub-LVDS进行数字输出，在全分辨率下行频达到240 kHz。同时芯片支持1 x 2 Binning功能，行频进一步提升至350 kHz。此外， GLR1202BSI-L可支持1224像素输出，感光区长度仅为15.3 mm，以满足不同光学尺寸的需求。
芯片采用高可靠性CLCC陶瓷封装，搭配双面抗反射镀膜的玻璃密封。芯片尺寸为40 mm (X) x 11 mm (Y)。
图3:GLR1202BSI-L实物图片
工程样片预计6月下旬开始陆续发货，现已开放订购。欢迎广大客户及合作伙伴联系我们获取更多产品细节。
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