GL系列
GL系列是长光辰芯面向锂电检测、屏幕检测、印刷检测、自动分拣、轨道检测 、光伏检测等推出的线阵CMOS图像传感器产品系列,具备高速、高灵敏度等特性,分辨率涵盖2K、4K、8K、16K 。
全局快门
高行频
高灵敏度
TDI
GLR1002BSI-S
2K 10 μm x 200 μm像素尺寸 高速背照式线阵CMOS图像传感器
GLR1002BSI-S是一款专门为OCT设计的背照式高速线阵CMOS图像传感器。芯片分辨率为2411(H) x 1(V), 大像素尺寸10 μm (H) x 200 μm(V)。芯片支持三种模式可选:12 bit 250 kHz, 12 bit 130 kHz,14 bit 100 kHz。芯片采用背照式晶圆加工工艺,其峰值量子效率91% (440 nm), 并具备优异的近红外量子效率,850 nm量子效率为58%。芯片采用 LCC 陶瓷封装,并配有双面抗反射 (AR) 镀膜的密封玻璃盖。
  • 产品特性及优势

    像素尺寸:10 μm x 200 μm

    高行频:250 kHz

    高NIR QE

    12 bit / 14 bit ADC

  • 产品尺寸
  • QE曲线
GLR1002BSI-S
GLR1002BSI-S
规格参数
  • 有效分辨率

    2411 (H) x 1(V)

    感光面长度

    24.11 mm

  • 像素尺寸

    10 μm x 200 μm

    快门类型

    全局快门

  • 峰值量子效率

    91 % (440 nm) 58 % (850 nm)

    读出噪声

    33.2 e⁻ (12 bit) 20 e⁻ (14 bit)

  • 满阱容量

    155 ke⁻

    动态范围

    73.4 dB(12 bit) 77.6 dB(14 bit)

  • 最高行频

    250/130 kHz(12 bit) 100 kHz(14 bit)

    输出接口

    7x Sub-LVDS

  • ADC

    12/14 bit

    最大数据率

    8.4 Gbps

  • 色彩

    黑白

    功耗

    < 450 mW

  • 供电电压

    3.6 V (模拟) 1.5 V (数字) 1.8-3.3 V (IO)

    封装形式

    76 x lead CLCC (40 mm x 11 mm)

订购信息
  • GLR1002BSI-ABM-NCN-BUE
    黑白,无微透镜,76 pins CLCC陶瓷封装,双面ARC密封D 263®T eco玻璃盖板,ES 等级
  • EVK-GLR1002-CLD/-S-1-U
    评估板, USB接口
资料下载
产品彩页
应用领域
订阅产品
您将即时收到我们关于产品发布、更新的最新信息
Copyright © 2025 长春长光辰芯微电子股份有限公司 版权所有 法律声明 Cookie政策 数据处理政策 网站地图
表单提交
  • 公司名称 *

  • 联系人 *

  • 国家和地区 *

  • 联系邮箱 *

  • 联系电话 *

  • 问题描述 *

我已详细阅读并同意长光辰芯的 数据处理政策

根据我们的数据处理政策,您所提交的商务信息仅供内部业务使用,未经许可不会共享或传播给第三方。

  • 请点击验证码
  • 0