GL系列
GL系列是长光辰芯面向锂电检测、屏幕检测、印刷检测、自动分拣、轨道检测 、光伏检测等推出的线阵CMOS图像传感器产品系列,具备高速、高灵敏度等特性,分辨率涵盖2K、4K、8K、16K 。
GLT5009BSI
9K背照式TDI CMOS图像传感器
GLT5009BSI是一款背照式电荷域时间延时积分(TDI)CMOS图像传感器。GLT5009BSI像素尺寸为5 μm,横向分辨率为9072,级数达到256级。结合先进的背照式工艺,使其具有极高的灵敏度,以满足在高速、弱光环境下的检测需求。GLT5009BSI具有16 keˉ的满阱容量以及小于8 eˉ的读出噪声,动态范围可达68.7 dB。芯片集成两个谱段,分别为256级和32级,在双谱段工作模式下,可进行HDR合成,动态范围可达77.5 dB。该芯片采用84对Sub-LVDS输出,最大数据速度可达74.304 Gbps。芯片支持多种工作模式,10 bit输出时最高行频可达608 kHz, 12 bit输出时最高行频为300 kHz。GLT5009BSI采用了269 pins μPGA陶瓷封装,同时片上集成时序生成器、LVDS通道合并、双向扫描等功能,使得用户的相机设计更加简单。 GLT5009提供标准版本和深紫外增强版本。
  • 产品特性

    背照式

    TDI

    高灵敏度

    最高行频:608 kHz @ 10 bit

    双谱段HDR

    QE @ 266 nm≥50%

  • 产品尺寸
  • QE曲线
GLT5009BSI
GLT5009BSI
产品指标
  • 有效分辨率

    9072(H) x (256 + 32)(V)

    感光面长度

    45.36 mm

  • 像素尺寸

    5 μm x 5 μm

    快门类型

    全局快门

  • 峰值量子效率

    71.36%@450 nm

    读出噪声

    10.5 eˉ @10 bit 6.2 eˉ @12 bit

  • 暗电流

    ~8 keˉ /s/pixel@30℃

    满阱容量

    15.8 keˉ @ 10 bit 15.9 keˉ @ 12 bit

  • 动态范围

    63.5 dB @ 10 bit 68.1 dB @ 12bit

    最高行频

    608 kHz @ 10 bit 300 kHz @ 12 bit

  • 输出接口

    84对Sub-LVDS

    通道合并

    84/42/21/12/6/3

  • ADC位数

    10/12 bit

    最大数据率

    74.304 Gbps

  • 色彩

    黑白,黑白(UV)

    功耗

    <5.8 W @ 12bit 300kHz <8.2 W @ 10bit 608kHz

  • 供电电压

    5 V(模拟)、1.8 V(ADC)、 1.8 V(数字)

    封装形式

    μPGA 269 pins (61.5 mm x 20.0 mm)

产品编码
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BR1
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BU1
    269 pins μPGA封装, 密封双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。
  • GLT5009BSI-CUM-NUN- BR1
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。 GLT5009BSI-DUV:DUV增强版本。
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BRE
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,ES级品。
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BUE
    269 pins μPGA封装, 密封双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。
  • GLT5009BSI-CUM-NUN- BRE
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,ES级品。 GLT5009BSI-DUV:DUV增强版本。
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