GL系列
GL系列是长光辰芯面向锂电检测、屏幕检测、印刷检测、自动分拣、轨道检测 、光伏检测等推出的线阵CMOS图像传感器产品系列,具备高速、高灵敏度等特性,分辨率涵盖2K、4K、8K、16K 。
全局快门
高行频
高灵敏度
TDI
GLR1202BSI-L
2K 12.5 μm x 10000 μm像素尺寸 高速线阵背照式CMOS图像传感器
GLR1202BSI-L采用12.5 μm(H) x 1000 μm(V)的长条形大像素设计,分辨率为2000 (H) x 1 (V)。芯片采用背照式晶圆工艺,在650 nm波长下量子效率近90%。芯片最大满阱为2 Me‾, 可提供69 dB的动态范围。基于应用需求,用户可切换到高增益工作模式来实现更低的读出噪声。芯片支持片上1 x 2 binning功能,在实现灵敏度翻倍的同时将最大行频提升到350 kHz。封装采用CLCC陶封,搭配有双面抗反射镀膜的玻璃密封。
  • 产品特性及优势

    像素尺寸:12.5 μm x 1000 μm

    高行频:240 kHz

    高 QE

    1x2 Binning

  • 产品尺寸
  • QE曲线
GLR1202BSI-L
GLR1202BSI-L
规格参数
  • 有效分辨率

    2000 (H) x 1 (V)

    感光面长度

    25 mm

  • 像素尺寸

    12.5 μm x 1000 μm

    快门类型

    全局快门

  • 峰值量子效率

    91 % (440 nm)

    读出噪声

    675 e⁻ (LG) 215 e⁻ (HG)

  • 满阱容量

    2 Me⁻(LG) 0.18 Me⁻(HG)

    动态范围

    69 dB (LG) 58 dB (HG)

  • 最高行频

    240 kHz 350 kHz (1x2 binning)

    输出接口

    5xSub-LVDS

  • ADC

    12 bit

    最大数据率

    6 Gbps

  • 色彩

    黑白

    功耗

    < 500 mW

  • 供电电压

    3.3 V (模拟) 1.5 V (数字) 1.8 V (IO)

    封装形式

    76 pins CLCC (40 mm x 11 mm)

订购信息
  • GLR1202BSI-ABM-NCN-BUE
    黑白,无微透镜,76 pins CLCC陶瓷封装,双面ARC密封D 263®T eco玻璃盖板 ,ES 等级
  • EVK-GLR1202-CLD/-S-1-U
    评估板, USB接口
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